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功率器件

IGBT、SiC、GaN、功率二极管等分立功率器件。

封装

全部 TO-247 Die TO-220 TO-220F TO-247-4L QDPAK TO-247-2L TO-252 TO-247PLUS TO-263 TO-263-7L TO-247-4 TOLL T2PAK TO-220-2L TO-247-4A TO-263-7 TO-247PLUS-4A DFN8×8-8L TO-220-2

产品线

全部 BJT D-MODE E-MODE FRD IGBT SBD SiC Diode SiC MOSFET

Polarity

Pta（W）

全部 0.225 0.8 1.1 1.15 1.25 1.3 1.5 2

VCB0（V）-Min

全部 -40 60 600 690 700 800 850

VCE0(V)-Min

全部 -40 365 40 400 420 450 480

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已选：TO-247 产品线: SiC MOSFET

型号	产品线	Polarity	VDS-(V)	ID-(A)	RDS(ON)@VGS=15V-Typ-(mΩ)	封装
CRXF160M120G2Z	SiC MOSFET	N	1200	17	160	TO-247
CRXQ160M120G2Z	SiC MOSFET	N	1200	17	160	TO-247
CRXQ1KM170G2Z	SiC MOSFET	N	1700	5	895	TO-247
CRXQ25M065G2Z	SiC MOSFET	N	650	97	25	TO-247
CRXQ27M120G4Z	SiC MOSFET	N	1200	70	34	TO-247
CRXQ35M120G4Z	SiC MOSFET	N	1200	55	45	TO-247
CRXQ40M065G4Z	SiC MOSFET	N	750	42	50	TO-247
CRXQ45M065G2Z	SiC MOSFET	N	650	49	45	TO-247
CRXQ60M065G2Z	SiC MOSFET	N	650	37	60	TO-247
CRXQ60M065G4Z	SiC MOSFET	N	750	30	75	TO-247
CRXQ60M120G4Q	SiC MOSFET	N	1200	32	73	TO-247
CRXQ60M120G4Z	SiC MOSFET	N	1200	32	73	TO-247
CRXQ75M120G2Z	SiC MOSFET	N	1200	32	75	TO-247
CRXQ75M120G4Z	SiC MOSFET	N	1200	25	94	TO-247
CRXQ80M170G2Z	SiC MOSFET	N	1700	30	80	TO-247
CRXQF27M120G4Q	SiC MOSFET	N	1200	70	34	TO-247
CRXQF60M120G2Q	SiC MOSFET	N	1200	40	60	TO-247
CRXQF60M120G2Z	SiC MOSFET	N	1200	40	60	TO-247

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