M3DD14160DR
华润微 Power Diode Transistor
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| 产品线 | BJT |
|---|---|
| Polarity | N |
| Pta（W） | 1.25 |
| IC(A) | 1.8 |
| VCB0（V）-Min | 800 |
| VCB0（V）-Typ | 850 |
| VCE0(V)-Min | 420 |
| VCE0(V)-Typ | 450 |
| Vebo(V)-Min | 9 |
| Vebo(V)-Typ | 15 |
| Vcesat(V)-Max | 0.8 |
| Vcesat(V)-Typ | 0.25 |
| hFE-Min | 20-30 |
| hFE-Typ | 20-30 |
| ts（μs）-Min | 2-6 |
| ts（μs）-Typ | 2-6 |
| Specialparameters | 6-10 |
| Specialparameters (2) | 8 |
| Tech level | / |
| 品牌 | 华润微（CRMICRO） |
| 封装 | Die |
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