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功率器件

IGBT、SiC、GaN、功率二极管等分立功率器件。

封装

全部 TO-247 Die TO-220 TO-220F TO-247-4L QDPAK TO-247-2L TO-252 TO-247PLUS TO-263 TO-263-7L TO-247-4 TOLL T2PAK TO-220-2L TO-247-4A TO-263-7 TO-247PLUS-4A DFN8×8-8L TO-220-2

产品线

全部 BJT D-MODE E-MODE FRD IGBT SBD SiC Diode SiC MOSFET

Polarity

Pta（W）

全部 0.225 0.8 1.1 1.15 1.25 1.3 1.5 2

VCB0（V）-Min

全部 -40 60 600 690 700 800 850

VCE0(V)-Min

全部 -40 365 40 400 420 450 480

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已选：TO-247-4L

型号	产品线	VDS-(V)	ID-(A)	Qg-Typ-(nC)	Polarity	封装
CRNQB035C65H	D-MODE	650	58	12.5	—	TO-247-4L
CRNQB050C65H	D-MODE	650	38	12.5	—	TO-247-4L
CRNQB070C65H	D-MODE	650	34.2	16	—	TO-247-4L
CRXQ140M120G4Z	SiC MOSFET	1200	12	—	N	TO-247-4L
CRXQF13M120G4Q	SiC MOSFET	1200	145	202	N	TO-247-4L
CRXQF140M120G4Z	SiC MOSFET	1200	14	31	N	TO-247-4L
CRXQF160M120G2Q	SiC MOSFET	1200	17	40.5	N	TO-247-4L
CRXQF160M120G2Z	SiC MOSFET	1200	17	40.5	N	TO-247-4L
CRXQF18M120G4Z	SiC MOSFET	1200	100	—	N	TO-247-4L
CRXQF25M065G2Q	SiC MOSFET	650	97	133	N	TO-247-4L
CRXQF25M065G2Z	SiC MOSFET	650	97	133	N	TO-247-4L
CRXQF27M120G4Z	SiC MOSFET	1200	70	107	N	TO-247-4L
CRXQF35M120G4Q	SiC MOSFET	1200	55	79.6	N	TO-247-4L
CRXQF35M120G4Z	SiC MOSFET	1200	55	79.6	N	TO-247-4L
CRXQF40M065G4Q	SiC MOSFET	750	42	47	N	TO-247-4L
CRXQF40M065G4Z	SiC MOSFET	750	42	47	N	TO-247-4L
CRXQF45M065G2Z	SiC MOSFET	650	49	74	N	TO-247-4L
CRXQF45M170G2Z	SiC MOSFET	1700	65	118	N	TO-247-4L
CRXQF60M065G2Z	SiC MOSFET	650	37	52	N	TO-247-4L
CRXQF60M120G4Q	SiC MOSFET	1200	32	52.6	N	TO-247-4L

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